Тезис
This document specifies the quantification and test methods for the selectivity of area selective atomic layer deposition (ASALD). It covers the specifications of selectivity, including growth area (GA), non-growth area (NGA), selective window, nucleation delay, and lateral broadening. This document is applicable to manufacturers, researchers, and regulatory bodies involved in the development and production of area selective atomic layer deposition. More specifically, this encompasses the practical application and concurrent research investigations of selective atomic layer deposition across diverse fields, such as microelectronics and nanodevice manufacturing, energy storage, catalyst design, optoelectronic devices, sensor technology, and barrier film preparation. These scenarios may require the specification and test methods presented in this document. It ensures consistent and precisely measurement and quantification of selective atomic layer deposition.
Общая информация
-
Текущий статус: В стадии разработкиЭтап: Регистрация новой рабочей темы в программе работ ТК/ПК [20.00]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 107
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00