ISO 21466:2019
p
ISO 21466:2019
70944
недоступно на русском языке

This document specifies the structure model with related parameters, file format and fitting procedure for characterizing critical dimension (CD) values for wafer and photomask by imaging with a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) by the model-based library (MBL) method. The method is applicable to linewidth determination for specimen, such as, gate on wafer, photomask, single isolated or dense line feature pattern down to size of 10 nm.


Общая информация 

  •  :  Published
     : 2019-12
  •  : 1
  •  : ISO/TC 202/SC 4 Scanning electron microscopy
  •  :
    37.020 Optical equipment

Приобрести данный стандарт

ru
Формат Язык
std 1 166 PDF + ePub
std 2 166 Бумажный
  • CHF166

Жизненный цикл


Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.