ISO 21466:2019
p
ISO 21466:2019
70944
недоступно на русском языке
Текущий статус : Опубликовано
ru
Формат Язык
std 1 166 PDF + ePub
std 2 166 Бумажный
  • CHF166
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

This document specifies the structure model with related parameters, file format and fitting procedure for characterizing critical dimension (CD) values for wafer and photomask by imaging with a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) by the model-based library (MBL) method. The method is applicable to linewidth determination for specimen, such as, gate on wafer, photomask, single isolated or dense line feature pattern down to size of 10 nm.

Общая информация

  •  : Опубликовано
     : 2019-12
    : Опубликование международного стандарта [60.60]
  •  : 1
  • ISO/TC 202/SC 4
    37.020 
  • RSS обновления

Preview 

Предварительно ознакомьтесь с этим стандартом в нашем Он-лайн библиотека стандартов (OBP)

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)